국가R&D로 수행 중인(또는 수행된) 연구과제 정보입니다. ■ 과제 개요 · 과제명: 유전율 100이상의 초극박막 소재 및 3D DRAM 향 커패시터 집적 공정 개발 · 예산사업명: 민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D) · 기준년도: 2026년 · 총 연구기간: 2025-04-01 ~ 2029-12-31 · 당해연도 연구기간: 2026-01-01 ~ 2026-12-31 · 수집 분야: 사회과학 ■ 수행 주체 · 과제수행기관: 한양대학교 에리카캠퍼스 · 연구책임자: 안지훈 · 부처명: 산업통상부 ■ 연구비 (당해년도) · 정부투자연구비: 150,000,000원 · 총 연구비: 183,032,000원 ■ 한글키워드 · 디램 커패시터, 초고유전율, 극박막, 계면 공학, 2차원 소재 ■ 영문키워드 · DRAM capacitor, Ultra high-k, Ultra thin films, Interface engineering, 2D materials ■ 연구내용 [1단계-1차년도 개발내용]ㅇ ABO구조의 2D layered high-k 소재의 ALD 공정 개발- 2D layered 유전체 증착을 위한 전구체 탐색 및 ALD 공정 셋업- Super-cycle 구성에 따른 ABO 박막 조성 제어 및 동역학적 해석- 2D 조성 부군에서의 물성, 결정성 및 조건 별 기본적인… ■ 원문 확인 · 과제고유번호: 2410016664 · NTIS 과제상세페이지: https://www.ntis.go.kr/project/pjtInfo.do?pjtId=2410016664 (NTIS 로그인 후 조회할 수 있습니다) ※ 출처: 국가과학기술지식정보서비스(NTIS) — 공공저작물 제1유형(출처표시) 위에 없는 상세 정보는 NTIS 과제상세페이지에서 확인해 주세요.