국가R&D로 수행 중인(또는 수행된) 연구과제 정보입니다. ■ 과제 개요 · 과제명: 고성능 N형 이오닉/일렉트로닉 반도체 및 유연 상보회로 개발 · 예산사업명: 개인기초연구(과기정통부) · 기준년도: 2026년 · 총 연구기간: 2025-09-01 ~ 2027-08-31 · 당해연도 연구기간: 2026-09-01 ~ 2027-08-31 · 수집 분야: 사회과학 ■ 수행 주체 · 과제수행기관: 인하대학교 · 연구책임자: 이근형 · 부처명: 과학기술정보통신부 ■ 연구비 (당해년도) · 정부투자연구비: 64,494,000원 ■ 한글키워드 · n형 하이브리드 반도체, 전해질게이트 트랜지스터, 전해질 게이팅, 전자-이온 상호작용, 상보회로 ■ 영문키워드 · n-type hybrid semiconductor, Electrolyte-gated transistor, Electrolyte gating, Electron-ion coupling, Complementary Logics ■ 연구내용 1차년도: 전자-이온 커플링 제어를 통한 고성능 n형 이오닉/일렉트로닉 반도체 개발-n형 하이브리드 반도체 소재 및 단일 트랜지스터 소자 단위에서 이온·전하 커플링 및 전하 밀도, 이온 도핑 제어 기반의 체계적인 소재 물성 분석을 통해, 최대 전도도 및 신뢰성 있… ■ 원문 확인 · 과제고유번호: 2710115140 · NTIS 과제상세페이지: https://www.ntis.go.kr/project/pjtInfo.do?pjtId=2710115140 (NTIS 로그인 후 조회할 수 있습니다) ※ 출처: 국가과학기술지식정보서비스(NTIS) — 공공저작물 제1유형(출처표시) 위에 없는 상세 정보는 NTIS 과제상세페이지에서 확인해 주세요.