국가R&D로 수행 중인(또는 수행된) 연구과제 정보입니다. ■ 과제 개요 · 과제명: 분산 추론용 LPU 향 온칩 수직형 3T DRAM 셀 개발 · 예산사업명: 개인기초연구(과기정통부) · 기준년도: 2026년 · 총 연구기간: 2026-09-01 ~ 2027-08-31 · 당해연도 연구기간: 2026-09-01 ~ 2027-08-31 · 수집 분야: 사회과학 ■ 수행 주체 · 과제수행기관: 서울과학기술대학교산학협력단 · 연구책임자: 심원보 · 부처명: 과학기술정보통신부 ■ 연구비 (당해년도) · 정부투자연구비: 64,680,000원 ■ 한글키워드 · 디램, 상보형 FET, 리텐션, 분산 추론, 거대언어모델 ■ 영문키워드 · DRAM, Complementary FET, Retention, Disaggregated Inference, Large Language Model ■ 연구내용 ㅇ 수직형 3T DRAM 셀 구조 개발- 기존의 2T DRAM 셀은 write 트랜지스터의 누설 전류 혹은 capacitive coupling으로 인한 스토리지 노드의 전위 변화가 read 트랜지스터의 게이트 전압 변동으로 반영되어 read 전류에 극심한 변동성을 준다는 한계가 있음.- 이를 개선… ■ 원문 확인 · 과제고유번호: 2710113029 · NTIS 과제상세페이지: https://www.ntis.go.kr/project/pjtInfo.do?pjtId=2710113029 (NTIS 로그인 후 조회할 수 있습니다) ※ 출처: 국가과학기술지식정보서비스(NTIS) — 공공저작물 제1유형(출처표시) 위에 없는 상세 정보는 NTIS 과제상세페이지에서 확인해 주세요.