국가R&D로 수행 중인(또는 수행된) 연구과제 정보입니다. ■ 과제 개요 · 과제명: AI 서버·EV 초급속 충전기용 650V급 초고속·고신뢰성 Intelligent GaN Power Management IC 개발 · 예산사업명: 민관공동기술사업화(R&D) · 기준년도: 2026년 · 총 연구기간: 2026-09-01 ~ 2028-08-31 · 당해연도 연구기간: 2026-09-01 ~ 2026-12-31 · 수집 분야: 경영 ■ 수행 주체 · 과제수행기관: 리가스텍 · 연구책임자: 김창선 · 부처명: 중소벤처기업부 ■ 연구비 (당해년도) · 정부투자연구비: 100,000,000원 · 총 연구비: 133,335,000원 ■ 한글키워드 · 650V급 GaN 전력관리반도체, 지능형 게이트 드라이버, 고효율 전력변환, LLC 공진형 컨버터, EV 초급속 충전기 ■ 영문키워드 · 650V GaN Power Management IC, Intelligent Gate Driver, High-Efficiency Power Conversion, LLC Resonant Converter, Ultra-Fast EV Charger ■ 연구내용 ㅇ 지능형 게이트 구동 PMIC 핵심 개발 내용- 정밀 제어를 위한 DT(Dead-Time) 및 Delay Matching 회로 설계· 고속 스위칭 환경에서의 shoot-through 방지 및 채널 간 타이밍 오차 최소화- 고출력 절연형 게이트 구동 회로 개발· 650V 환경 대응 절연 구조 및 GaN 소자… ■ 원문 확인 · 과제고유번호: 2420033816 · NTIS 과제상세페이지: https://www.ntis.go.kr/project/pjtInfo.do?pjtId=2420033816 (NTIS 로그인 후 조회할 수 있습니다) ※ 출처: 국가과학기술지식정보서비스(NTIS) — 공공저작물 제1유형(출처표시) 위에 없는 상세 정보는 NTIS 과제상세페이지에서 확인해 주세요.