국가R&D 과제 동향

실리콘카바이드(SiC) 고효율 전력반도체 기판 분석 기반조성

관리자 · 2026-08-04 10:53 · 조회 11
국가R&D로 수행 중인(또는 수행된) 연구과제 정보입니다. ■ 과제 개요 · 과제명: 실리콘카바이드(SiC) 고효율 전력반도체 기판 분석 기반조성 · 예산사업명: 소재부품산업기술개발기반구축(R&D) · 기준년도: 2026년 · 총 연구기간: 2026-04-01 ~ 2029-12-31 · 당해연도 연구기간: 2026-04-01 ~ 2026-12-31 · 수집 분야: 교육 ■ 수행 주체 · 과제수행기관: 부산대학교산학협력단 · 연구책임자: 이호준 · 부처명: 산업통상부 ■ 연구비 (당해년도) · 정부투자연구비: 2,000,000,000원 · 총 연구비: 3,223,609,000원 ■ 한글키워드 · 화합물 전력반도체, SiC 전력반도체, 기판 특성분석, 기술 환류형 플랫폼, 기술체인 고도화 ■ 영문키워드 · Compound Power Semiconductor, SiC Power Semiconductor, Substrate Characterization, Technology Feedback Platform, Technology Value Chain Advancement ■ 연구내용 ? 전용공간 조성 및 장비구축, 기반 활용 기업 기술 지원ㅇ 전용공간(공공팹) 리모델링 ­ 기 보유한 공공팹 설계 및 착공 ­ 시공 및 시설구축 완료, 리모델링 완료 ­ 연구시설(공공팹) 유틸리티 및 설비 시험가동 준비완료ㅇ 8인치(200 mm) SiC 기판 특성 분석 장비 구… ■ 원문 확인 · 과제고유번호: 2410019459 · NTIS 과제상세페이지: https://www.ntis.go.kr/project/pjtInfo.do?pjtId=2410019459 (NTIS 로그인 후 조회할 수 있습니다) ※ 출처: 국가과학기술지식정보서비스(NTIS) — 공공저작물 제1유형(출처표시) 위에 없는 상세 정보는 NTIS 과제상세페이지에서 확인해 주세요.

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